氮化镓 GaN MOCVD加热器

在制造车间里，温度并非一个可以随意调整的参数——它实际上关乎整个生产流程的顺利进行。即使晶圆表面的温度出现几十分之一的微小变化，都可能影响外延层的厚度、掺杂分布，甚至导致整个生产过程失败。GaN MOCVD加热器正是为了解决这些问题而设计的。 关键所在 该加热器采用了短波红外卤素发射器，再加上基于...