ファブ内では、ソフトベイクオーブンの温度が1℃でも変動すると、それは単なる些細な問題ではありません。それは製品の歩留まりに悪影響を与えます。ウェーハの乾燥やフォトレジストの事前加熱、露光後の硬化処理などは、すべて厳格な温度管理の下で行われます。だからこそ、私たちは中国に加熱装置の生産拠点を設置したのです。それは、市場向けの製品ではなく、半導体製造プロセス用に設計された短波長のIRヒーターを作成するためです。
技術的に重要な点 当社のIRモジュールは、チャック全体で±0.1℃の熱均一性を実現し、設定値の再現性も±0.2℃以内です。高速な温度上昇速度により、熱分布が短縮され、粒子の発生も防がれるため、クラス1～100のクリーンルーム環境で粒子数を安定させることができます。石英ハロゲン素子により、安定したスペクトル出力が得られ、フォトレジストの吸収率も一定に保たれます。また、ヒーター本体は真空や不活性ガス雰囲気下でも使用可能です。出力密度は、ヒーターの外殻ではなく、基板の熱容量に合わせて調整されているため、プロセス上では温度そのものが測定されます。
実際に効果的な理由 リソグラフィ工程において、ソフトベイクの温度はフォトレジストの粘度や膜厚を直接決定します。当社のIRヒーターを使用することで、このパラメータを正確に制御でき、CDのばらつきや余分な膜の形成を防ぐことができます。また、ウェットクリーニング後のウェーハ乾燥においても、迅速かつ均一な加熱により、パターンの崩壊や水分の残留を防げます。さらに、IRヒーターはチャンバーの壁面ではなくウェーハ自体を直接加熱するため、エネルギー消費が少なくなります。これらの装置は24時間365日稼働可能で、メンテナンスも少ないです。実績によると、5,000時間以上稼働しても出力の変動は5％未満です。
準備が必要なこと これらのヒーターを使用するには、専用の電力供給システムと、各プロセス層に適した正確な放射率校正が必要です。既存のオーブンに直に取り付けるのは簡単ですが、熱容量が変わると、正確な加熱曲線を得るために調整が必要になることがあります。パイロット生産を開始する前には、100時間のテスト運転と基本的な性能測定を行うことが望ましいです。