Нагреватель на нитриде галлия (GaN) методом MOCVD

Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800

На производственном участке температура не является параметром, регулируемым для комфорта — это ключевой параметр самого процесса. Даже небольшое изменение температуры на несколько десятых градуса может повлиять на толщину слоя, образующегося в процессе эпитаксии, настраивать профили допирования и привести к провалу всего процесса. Нагреватель GaN MOCVD разработан для устранения таких неопределенностей.

Что важно внутри устройства
В состав устройства входит галогеновый излучатель с коротковолновым инфракрасным излучением и тепловая система на основе кварца, способная быстро реагировать и сохранять стабильность температуры. Благодаря этому достигается однородность температуры на всей площади подложки в пределах ±0,1°C, а точность поддержания заданной температуры составляет ±0,5°C между отдельными партиями продукции. Скорость изменения температуры может достигать 20°C/с, что позволяет камере быстро стабилизироваться после загрузки материала, не превышая при этом установленные лимиты температуры. Устройство предназначено для работы в чистых помещениях класса 1–100; его конструкция обеспечивает отсутствие выбросов частиц в стабильном режиме работы. Мощность устройства может регулироваться до 3 фаз, 400 В переменного тока; интерфейс соответствует стандартным разъемам оборудования MOCVD, поэтому устройство можно использовать без необходимости перепроектирования.

(ГаАН) on Eco-Friendly Warm IR Heaters

Нагреватель на нитриде галлия (GaN) методом MOCVD