Aquecedor de nitreto de gálio (GaN) de MOCVD

Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800

Na linha de produção, a temperatura não é um fator relacionado ao conforto – ela faz parte do próprio processo de fabricação. Uma variação de apenas algumas décimas de grau na temperatura da placa pode afetar a espessura da camada epitaxial, alterar os perfis de dopagem e até mesmo comprometer todo o processo de produção. O aquecedor GaN MOCVD foi desenvolvido para eliminar essa incerteza.

O que realmente importa Ele combina um emissor de infravermelho de onda curta com um sistema térmico à base de quartzo, projetado para responder rapidamente e manter a temperatura estável. Isso permite que a uniformidade da temperatura na placa seja mantida em torno de ±0,1°C, com repetibilidade entre lotes de ±0,5°C. A taxa de aumento da temperatura pode chegar a 20°C/s, permitindo que a câmara se estabilize rapidamente após o carregamento dos materiais, sem exceder o limite térmico permitido. O equipamento é adequado para operação em salas limpas de classe 1–100, e seu design de baixa emissão de gases mantém a geração de partículas em nível zero, uma vez que o sistema atinge o estado estável. A potência pode ser configurada para 3 fases e 400 VCA, e sua interface suporta conectores padrão para ferramentas MOCVD, tornando sua instalação simples.

Nitride on Eco-Friendly Warm IR Heaters

Aquecedor de nitreto de gálio (GaN) de MOCVD