Galliumnitridheater (GaN) MOCVD

Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800

Op de productielijn is temperatuur geen comfortparameter; het is juist een essentieel onderdeel van het proces zelf. Zelfs een klein verschil van enkele tienden van een graad kan de dikte van de epitaxiale laag beïnvloeden, de concentratie van dopingstoffen veranderen en zo tot problemen leiden. De GaN MOCVD-verwarmer is ontworpen om deze onzekerheden weg te nemen.

Wat er belangrijk is De verwarmer combineert een kortegolflengte-infraroodemitter met een kwartsgebaseerde thermische systeem dat snel kan reageren en de gewenste temperatuur kan behouden. Hierdoor blijft de temperatuur over de hele oppervlakte van de schijf binnen ±0,1°C. De herhalbaarheid van de ingestelde temperatuur ligt op ±0,5°C per batch. De temperatuurstijging vindt snel plaats, namelijk tot 20°C/s. Hierdoor stabiliseert de kamer zich snel na het laden, zonder dat dit negatieve gevolgen heeft voor de thermische balans. De unit is geschikt voor gebruik in schone ruimtes van klasse 1–100. Dankzij het ontwerp met minimale uitstoot van gassen, blijft er geen stofontwikkeling optreden wanneer de unit in een stabiele staat is. De stroomvoorziening kan worden aangepast op 3-fasen 400 VAC. De interface ondersteunt standaard MOCVD-aansluitingen, zodat de unit gemakkelijk kan worden geïntegreerd zonder dat er een nieuwe ontwerpwijze nodig is.

(GaN) on Eco-Friendly Warm IR Heaters

Galliumnitridheater (GaN) MOCVD