http://warm-ir-heater-eco.com/ms/tags/gan/ Recent content in (GaN) on Eco-Friendly Warm IR Heaters Hugo ms Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800 http://warm-ir-heater-eco.com/ms/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/ Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800 http://warm-ir-heater-eco.com/ms/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/ <p><img src="http://warm-ir-heater-eco.com/images/0a976f8a438e1a813cc995e9355a4471.png" alt="Pemanas berasaskan Gallium Nitride (GaN) menggunakan teknologi MOCVD"></p> <p>Di bilik pengeluaran, suhu bukanlah faktor yang mempengaruhi keselesaan, tetapi ia merupakan sebahagian daripada proses pengeluaran itu sendiri. Perubahan suhu sebanyak beberapa persepuluh darjah pun boleh mengganggu ketebalan lapisan epitaksia, mengubah profil doping, dan merosakkan keseluruhan proses pengeluaran. Pemanas GaN MOCVD direka untuk mengurangkan ketidaktentuan suhu tersebut.</p> <p><strong>Apa yang penting dalam reka bentuknya</strong><br> Pemanas ini menggunakan pancaran inframerah gelombang pendek (SWIR) bersama-sama dengan struktur termal berasaskan kuarsa yang direka untuk memberikan tindak balas yang cepat dan stabil. Ini memastikan suhu di permukaan wafer <a href="https://henruite.com">kekal</a> pada tahap ±0.1°C, manakala ketepatan suhu pula berada dalam lingkungan ±0.5°C antara setiap kumpulan wafer yang diproses. Kelajuan penyesuaian suhu boleh mencapai 20°C/s, jadi bilik pengeluaran dapat mencapai kestabilan dengan cepat tanpa melebihi had suhu yang ditetapkan. Unit ini sesuai digunakan dalam makmal bersih kelas 1–100. Reka bentuk yang efisien ini juga membantu mengurangkan penghasilan zarah-zarah berbahaya setelah proses berjalan secara stabil. Kuasa yang <a href="https://goldisgood.com">diperlukan</a> boleh disesuaikan kepada 3-fasa 400 VAC, dan antaramuka yang digunakan menyokong sambungan alat MOCVD biasa, jadi ia boleh digunakan tanpa perlu membuat perubahan reka bentuk.</p>