गैलियम नाइट्राइड (GaN) एमओसीवीडी हीटर

Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800

फैब्रिकेशन फ्लोर पर, तापमान कोई “आरामदायक स्थिति” नहीं है… बल्कि यह तो प्रक्रिया का ही हिस्सा है। वेफर पर थोड़े से भी तापमान-परिवर्तन से एपिटैक्सी प्रक्रिया प्रभावित हो जाती है, डोपिंग प्रक्रिया में बदलाव आ जाता है, और पूरी प्रक्रिया विफल हो जाती है। GaN MOCVD हीटर को इस तरह ही डिज़ाइन किया गया है, ताकि ऐसी अनिश्चितताओं को दूर किया जा सके।

वास्तव में क्या महत्वपूर्ण है?
इसमें शॉर्ट-वेव इन्फ्रारेड (SWIR) हेलोजन एमिटर का उपयोग किया गया है; इसके साथ ही क्वार्ट्ज-आधारित थर्मल स्टैक भी है, जो तेज़ी से प्रतिक्रिया देने एवं तापमान को स्थिर रखने में मदद करता है। इससे वेफर पर तापमान ±0.1°C के भीतर ही रहता है, एवं बैच-दर-बैच तापमान में ±0.5°C की विसंगति ही होती है। तापमान में परिवर्तन की दर 20°C/सेकंड से अधिक है; इसलिए चेम्बर जल्दी ही स्थिर हो जाता है। यह उपकरण क्लास 1–100 के क्लीनरूमों में भी काम कर सकता है… एवं कम गैस-निकासी की विशेषता के कारण स्थिर अवस्था में कोई कण उत्पन्न नहीं होता। इसकी ऊर्जा-आवश्यकताएँ 3-फेज 400 VAC हैं… एवं इसका इंटरफेस मानक MOCVD उपकरणों के कनेक्टरों के अनुरूप है… इसलिए इसे बिना किसी पुनः-डिज़ाइन के ही उपयोग में लाया जा सकता है।

गैलियम on Eco-Friendly Warm IR Heaters

गैलियम नाइट्राइड (GaN) एमओसीवीडी हीटर