בסביבת הייצור, הטמפרטורה אינה פרמטר שניתן לשלוט בו באופן עצמאי – היא חלק בלתי נפרד מהתהליך עצמו. שינוי של מספר עשיריות מעלה בלבד בטמפרטורה יכול לפגוע בעובי השכבות הנוצרות, לשנות את פרופילי הדופינג, ואף לגרום לכישלון של כל תהליך הייצור. החיממן מסוג GaN MOCVD נוצר כדי להיפטר מחוסר הוודאות הזה.
מה חשוב באמת?
החיממן משלב בין גוף פלורידציה באור אינפרא-אדום באורך גל קצר לבין מערכת תרמית המבוססת על קוורץ, שנועדה לפעול במהירות ובאופן אמין. כך ניתן לשמור על אחידות בטמפרטורה של ±0.1°C בכל חלקי הוואפר, ועל רמת דיוק של ±0.5°C בין משלוחים שונים. קצב העלייה של הטמפרטורה יכול להגיע ל-20°C/שנייה, כך שהחדר מתייצב במהירות לאחר הטעינה, מבלי לגרום לעלייה בצריכת האנרגיה. המכשיר מתאים לשימוש בחדרי ייצור נקיים מסוג Class 1–100, והעיצוב שלו מונע יצירה של חלקיקים, כך שהטמפרטורה נשארת יציבה. ניתן להגדיר את המתח החשמלי ל-3 פאזות ב-400 VAC, והממשק של המכשיר תומך בחיבורים התקניים של מכשירי MOCVD, כך שניתן להשתמש בו ללא צורך בעיצוב מחדש.
למה הוא עובד טוב בייצור?
בתהליך האפיטקסיה של GaN, החיממן מאפשר שליטה מהירה באזור התגובה, כך שהתהליך יתנהל כפי שתוכנן – בכל פעם. אותו עקרון של שליטה תרמית חשוב גם בתהליכי ליתוגרפיה, שם הוא חיוני לעיבוד הפוטורזיסט. ניתן להגיע לטמפרטורה הרצויה תוך שניות בלבד, מה שמפחית את שינויי הרוחב של השכבות הנוצרות ומשפר את רמת התפוקה. בנוסף, ניתן לחסוך אנרגיה על ידי שמירה על הטמפרטורה הרצויה, ורמת האמינות של המכשיר היא 24/7 – הוא מיועד לפעול ללא הפרעות.
מה צריך לעשות כדי שהמכשיר יעבוד כראוי?
החיממן יעבוד בצורה הטובה ביותר כאשר גאומטריית החדר תואמת את ההגדרות המיוחדות שלו, וכאשר זרימת הגז תהיה כמתוכנן. אם מחליפים את הרכיבים של המכשיר מבלי לבדוק שוב את הפרופיל התרמי, האחידות של הטמפרטורה תיפגע. יש להתאים את המתח החשמלי ואת מערכות השליטה של המכשיר, ואנו ממליצים תמיד על בדיקה קצרה לאחר ההתקנה, כדי לוודא שהמכשיר עובד כראוי. כאשר הכל מותאם כראוי, התהליך יהיה עקבי משמרה לשמרה.