Chauffeur à MOCVD en nitrure de gallium (GaN)

Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800

Sur le plan de fabrication, la température n’est pas une variable qui concerne le confort, mais bien un élément essentiel du processus lui-même. Une variation de même que quelques dixièmes de degré sur la surface de la wafer peut perturber l’épaisseur de l’épithélium, modifier les profils de dopage, et entraîner l’échec de toute série de production. Le chauffage MOCVD pour GaN a été conçu pour éliminer cette incertitude.

Ce qui est important au niveau technique
Il combine un émetteur infrarouge à ondes courtes avec un système thermique en quartz, conçu pour réagir rapidement et maintenir une température stable. Ainsi, on obtient une uniformité de température sur toute la surface de la wafer, avec une précision de ±0,1 °C. De plus, la répétabilité de la température est de ±0,5 °C d’un lot à l’autre. Les taux d’augmentation de température atteignent 20 °C/s, ce qui permet à la chambre de se stabiliser rapidement après chargement, sans pour autant dépasser les limites thermiques autorisées. L’appareil est conçu pour fonctionner dans des salles propres de classe 1–100. Son design à faible émission de gaz permet également de maintenir zéro génération de particules une fois que le système est en état stationnaire. L’alimentation électrique peut être configurée en 3 phases à 400 VAC. L’interface prend en charge les connecteurs standards des équipements MOCVD, ce qui permet son intégration sans avoir besoin de le redessiner.

Gallium on Eco-Friendly Warm IR Heaters

Chauffeur à MOCVD en nitrure de gallium (GaN)