Calentador de nitruro de galio (GaN) MOCVD

Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800

En el área de fabricación, la temperatura no es un parámetro para garantizar comodidad, sino que forma parte esencial del proceso en sí. Incluso unos pocos décimos de grado de variación en la temperatura pueden afectar el espesor de los cristales, modificar los perfiles de dopaje y arruinar todo el proceso de producción. El calentador MOCVD para GaN está diseñado precisamente para eliminar esa incertidumbre.

Lo que realmente importa Este dispositivo combina un emisor de infrarrojos de onda corta con una estructura térmica basada en cuarzo, diseñada para responder rápidamente y mantener una temperatura estable. Se logra así uma uniformidad en toda la superficie de la oblea de hasta ±0,1°C, y la repetibilidad de la temperatura es de ±0,5°C entre lotes diferentes. La tasa de aumento de temperatura puede alcanzar los 20°C/s, lo que permite que la cámara se estabilice rápidamente después de cargarla, sin sobrecargar el sistema térmico. Este dispositivo está diseñado para funcionar en salas limpias de clase 1–100, y su diseño de baja emisión de gases mantiene la cantidad de partículas en cero una vez que se alcanza el estado estable. La potencia puede configurarse en 3 fases a 400 VAC, y su interfaz es compatible con los conectores estándar de las herramientas MOCVD, por lo que puede integrarse sin necesidad de rediseños.

Nitride on Eco-Friendly Warm IR Heaters

Calentador de nitruro de galio (GaN) MOCVD