Galliumnitrid (GaN) MOCVD Heizer

Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800

In der Fertigungsstätte ist die Temperatur keine Parameter, der man nachgeben kann – sie ist vielmehr ein entscheidender Bestandteil des Produktionsprozesses selbst. Schon kleine Temperaturunterschiede von einigen Zehntelgraden können dazu führen, dass die Dicke der Epitaxialschicht verändert wird, die Dopingprofile gestört werden und somit ganze Produktionsläufe ruiniert werden. Der GaN-MOCVD-Heizer wurde genau dafür entwickelt, diese Unwässerigkeiten auszuschalten.

Was wirklich wichtig ist
Der Heizer kombiniert einen kurzwelligen Infrarotemitter mit einer aus Quarz bestehenden Wärmespeichereinheit, die darauf ausgelegt ist, schnell zu reagieren und eine konstante Temperatur zu gewährleisten. So bleibt die Temperatur auf der Waferoberfläche bei ±0,1°C konstant – und die Genauigkeit der Einstellung liegt bei ±0,5°C von Charge zu Charge. Die Temperatur kann bis zu 20°C/s angehoben werden, sodass sich die Kammer schnell stabilisiert, ohne dass das thermische Gleichgewicht gestört wird. Der Heizer eignet sich für den Betrieb in Reinräumen der Klasse 1–100. Dank seines Designs, das eine minimale Gasentwicklung ermöglicht, entstehen keine Partikel mehr, sobald der Prozess im Gleichgewicht ist. Die Leistung kann auf 3-Phasen-400-V-Netzspannung eingestellt werden. Zudem unterstützt die Schnittstelle die gängigen MOCVD-Anschlüsse – dadurch kann der Heizer ohne weitere Anpassungen eingesetzt werden.

(GaN) on Eco-Friendly Warm IR Heaters

Galliumnitrid (GaN) MOCVD Heizer