ফ্যাব লেভেলে, সফ্ট বেক ওভেনে ১°C-এর মতো তাপমাত্রা পরিবর্তনও কোনো ছোটখাটো বিষয় নয়। এটা উৎপাদন ক্ষমতাকে প্রভাবিত করে। ওয়েফার শুকানো, ফটোরেজিস্ট প্রি-বেক এবং এক্সপোজার-পরবর্তী প্রক্রিয়াগুলো সবই নির্দিষ্ট তাপমাত্রার মধ্যে সম্পন্ন হয়। ঠিক এই কারণেই আমরা চীনে আমাদের হিটার লাইন স্থাপন করেছি—যাতে শর্ট-ওয়েভ IR হিটার তৈরি করা যায়; যেগুলো সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণের জন্য উপযোগী, বিপণনের জন্য নয়।
প্রযুক্তিগতভাবে কী গুরুত্বপূর্ণ? আমাদের IR মডিউলগুলো ওয়েফারের সর্বত্র ±0.1°C তাপমাত্রা নিশ্চিত করে; আর সেটপয়েন্টের পুনরাবৃত্তি হয় ±0.2°C-এর মধ্যে। দ্রুত তাপ প্রদানের ফলে তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ করা সহজ হয়; আর কোনো ধরনের কণা উৎপন্ন না হওয়ায় ক্লাস 1–100 পরিবেশে কণার সংখ্যা স্থিতিশীল থাকে। কোয়ার্টজ-হ্যালোজেন উপাদানগুলো স্থিতিশীল স্পেকট্রাল আউটপুট দেয়; ফলে ফটোরেজিস্টের শোষণ ক্ষমতা স্থিতিশীল থাকে। আর হিটারটি ভ্যাকুয়াম ও নিরপেক্ষ গ্যাস ব্যবহারের জন্যও উপযুক্ত। আমরা পাওয়ার ডেনসিটি সাবস্ট্রেটের তাপীয় ভর অনুযায়ী নির্ধারণ করি—হিটারের কভার অনুযায়ী নয়। ফলে প্রক্রিয়াটি তাপমাত্রাকেই অনুসরণ করে, হিটারকে নয়।
ব্যবহারিকভাবে কেন এটা কার্যকর? লিথোগ্রাফি প্রক্রিয়ায়, সফ্ট বেক তাপমাত্রা সরাসরি ফটোরেজিস্টের সিল্কস ও ফিল্মের পুরুত্বকে নিয়ন্ত্রণ করে। আমাদের IR পদ্ধতি এই প্যারামিটারগুলোকে নির্দিষ্ট মানে রাখে; ফলে CD-এর পরিবর্তন ও অন্যান্য সমস্যা কমে যায়। ওয়েট ক্লিনিং-এর পর ওয়েফার শুকানোর জন্য দ্রুত ও সমান তাপ প্রদান করলে প্যাটার্ন ধ্বংস হয় না। আর যেহেতু IR হিটারটি চেম্বারের দেয়াল নয়, ওয়েফারকে সরাসরি উত্তপ্ত করে; ফলে শক্তি খরচ কমে যায়। এই হিটারগুলো ২৪/৭ চালানো যায়; রক্ষণাবেক্ষণের খরচও কম। ফিল্ড ডেটায় দেখা গেছে, ৫,০০০+ ঘন্টা চালানোর পরও আউটপুটে ৫% এরও কম পরিবর্তন হয়।
কী পরিকল্পনা করা দরকার? এই হিটারগুলোর জন্য প্রতিটি প্রক্রিয়া স্তরের জন্য নির্দিষ্ট ও নিয়ন্ত্রিত পাওয়ার সরবরাহ এবং নির্ভুল এমিসিভিটি ক্যালিব্রেশন দরকার। এগুলোকে পুরানো ওভেনগুলোতে ব্যবহার করা সহজ; কিন্তু তাপীয় ভরে কোনো পরিবর্তন হলে সঠিক তাপমাত্রা পাওয়ার জন্য কিছুটা সময় লাগতে পারে। পাইলট লট শুরু করার আগে ১০০ ঘন্টা চালানো এবং মেট্রোলজি করা দরকার।