مسخن من نيتريد الجاليوم (GaN) بتقنية MOCVD

Mon, 22 Jun 2026 19:47:08 +0800

في قاعة التصنيع، لا يُعتبر درجة الحرارة مجرد عامل راحة، بل هي جزء أساسي من العملية نفسها. حتى أدنى تغيير في درجة الحرارة بضعة عشرات من الدرجات قد يؤثر على سمك طبقة الإيبيتاكسيا، ويغير من توزيع المواد المستخدمة في التدخين، وقد يدمر العملية بأكملها. تم تصميم جهاز التسخين من نوع GaN MOCVD للتخلص من هذه العوامل غير المؤكدة.

ما الذي يهم في الجزء الداخلي من الجهاز؟ يتكون الجهاز من مصدر إشعاع تحت الأحمر ذو الموجة القصيرة، بالإضافة إلى مكونات حرارية مصنوعة من الكوارتز، وقد تم تصميمها لتعمل بسرعة وبدقة عالية. يمكن الحفاظ على توحيد درجة الحرارة على مستوى الرقاقة في نطاق ±0.1 درجة مئوية، كما يمكن الحفاظ على استقرار درجة الحرارة في نطاق ±0.5 درجة مئوية من دفعة إلى أخرى. معدل تغير درجة الحرارة يصل إلى 20 درجة مئوية في الثانية، مما يسمح بتثبيت درجة الحرارة بسرعة بعد تحميل المواد، دون أن يؤثر ذلك على كفاءة الجهاز. يمكن تعديل الجهد إلى 3 أطوار بجهد 400 فولت، كما أن الواجهة تدعم موصلات أدوات MOCVD القياسية، مما يسمح باستخدام الجهاز دون الحاجة إلى تعديلات إضافية.

Nitride on Eco-Friendly Warm IR Heaters

مسخن من نيتريد الجاليوم (GaN) بتقنية MOCVD