Below you will find pages that utilize the taxonomy term “(GaN)” 질화갈륨(GaN) MOCVD 히터 팹 내에서는 온도가 단순히 편안한 환경을 만들기 위한 요소가 아니라, 공정 자체의 핵심 요소입니다. 웨이퍼의 온도가 불과 수십 분의 일 도만 변해도 에피택셜 층의 두께가 변하거나 도핑 프로파일이 변할 수 있으며, 그로 인해 전체 생산 과정이 망가질 수 있습니다.... Read more...
질화갈륨(GaN) MOCVD 히터 팹 내에서는 온도가 단순히 편안한 환경을 만들기 위한 요소가 아니라, 공정 자체의 핵심 요소입니다. 웨이퍼의 온도가 불과 수십 분의 일 도만 변해도 에피택셜 층의 두께가 변하거나 도핑 프로파일이 변할 수 있으며, 그로 인해 전체 생산 과정이 망가질 수 있습니다.... Read more...
