リソグラフィ工程では、ソフトベークとハードベークの間にほとんど余裕がない。0.5℃の変動でフォトレジストの厚みが変わり、クリティカルディメンションのバイアスがずれ、突然歩留まりが仕様から外れてしまう。そこで、プロセスの許容範囲を狭め、安定化させるために有機半導体乾燥用ランプを開発した。
内部のポイント
NIRを用いてウェハを照射し、スペクトルを制御することで、迅速かつ非接触で加熱する。露光フィールド全体でウェハレベルの熱均一性は±0.1℃を維持し、全てのダイに同じ熱負荷がかかる。クラス1～100のクリーンルーム内で粒子の発生なく稼働し、出力は5,000時間以上の運転で5%未満の低減に抑えられている。連続運転においてもフォトレジストのベーク温度の再現性は堅牢で、計画外のダウンタイムなしに24時間365日稼働可能である。
プロセス適合性
レシピの制御がシビアな場合に使用される装置である。ソフトベークは溶剤プロファイルを設定し、ハードベークは密着性とエッチング選択性を固定する。熱の不均一はエッチング後の線幅変動として現れるため、ランプは熱立ち上がり時間を短縮し、スタックへの熱ストレスを低減し、サイクルタイムを予測可能にする。対流式オーブンよりも消費電力が少なく、既存のコート／ベークラインにレイアウト変更なく組み込めるフットプリントとなっている。
注意点
設置時にはランプのチャンバー形状への適合とインターフェースコネクターの種類の確認が必要である。ランプは反射面を嫌うため、シールドとアライメントは検証段階で必ず確認する。調整が完了すれば、冷却水温を安定させ、予防保守スケジュールを遵守することで最小限の調整で運用できる。